功能描述：MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB

制造商：nexperia usa inc.

系列：汽车级，AEC-Q101

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：180mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：0.35nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：36pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.14W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 100mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-236AB

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

BSS84AKM

BSS84AKM,315

BSS84AKMB

BSS84AKMB,315

BSS84AKS

BSS84AKS,115

BSS84AKT

BSS84AKT,115

BSS84AKV

BSS84AKV,115